金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，亚德诺半导体国际无限责任公司申请一项名为“具有共同制造的结构的单片集成场效应器件和双极型器件”的专利，公开号CN120500106A，申请日期为2023年02月。
专利摘要显示，本公开涉及具有共同制造的结构的单片集成场效应器件和双极型器件。一种集成电路IC器件，包括：金属氧化物半导体MOS晶体管，包括形成在其沟道区之上的栅极堆叠；和横向双极结型晶体管BJT，包括形成在其集电极区之上PG电子优惠活动的层堆叠，该层堆叠包括电介质层，其中，所述栅极堆叠和所述层堆叠具有PG电子优惠活动一个或多个具有共同物理尺寸的对应层。
