作者： 李保力 日期：2025-04-26 12:06:13 点击数：
成就奖举办的第23年,一路伴随和见证产业的成长与发展,是中国电子业界最重要的技术奖项之一,颁奖典礼已成为产业领袖的年度盛会及行业领航标!活动评选并表彰业内优秀的IC设计公司、上游服务供应商、热门模块/设PG电子安全性分析计方案和热门产品。
深耕存储,创新不断,3月27日颁奖晚宴上,东芯半导体3.3V 64Mb SPI NOR Flash–DS25Q64A-13IA4很荣幸获选了“2025年度中国IC设计成就奖之热门IC产品奖:年度最佳存储器”。同时,进入“Aspencore2025中国IC设计Fabless100排行榜--TOP 10 存储器公司”,这不但是对我们成果的肯定,也鼓舞我们持续研发创新,为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案!”
3月27日下午,东芯半导体股份有限公司副总经理陈磊也在IC领袖峰会中,以本土存储厂商视角,结合目前存储市场现状和热门的应用领域,为大家解析从消费级到车规级:存储芯片如何定义终端用户体验。
据公开数据显示,在AI服务器的强劲需求带动下,2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创1615亿美元的历史新高。其中,NAND Flash市场规模达到656.353亿美元,DRAM市场规模达到958.63亿美元。
一方面,由于5G/AI/汽车电子等领域的不断发展,DRAM、NAND、NOR在不同阶梯中的技术演进满足应用市场多样化需求,产品需要不断迭代创新。
另一方面,利基型存储主流厂商正在逐步退出,或能实现份额替换,AI 需求高企,产能挤压下,部分国际大厂逐步转向利润更高的高带宽内存等产品线。
加以政府政策支持、全球化转型加速推进下游需求增长、产业链上下游企业协同合作以及数据安全等多重因素体现了芯片国产替代的重要性几方面驱动行业发展,刷新本土芯片市场需求,本土存储厂商或将获得更多市场机遇。
作为Fabless芯片企业,东芯半导体拥有独立自主的知识产权,聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售,是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司,
兼容传统的并行接口标准,高可靠性。可提供容量从1Gb到16Gb,1.8V / 3.3V两种电压,多种封装方式的产品,以满足不同应用场景。在网络通信,智能音箱,机顶盒等领域中广泛应用。
其中DDR包含LPDDR1/2/4X 多种规格使其选择更加灵活丰富。MCP可将Flash和DDR合二为一进行封装,简化走线设计,节省组装空间,高效集成电路,提高产品稳定性。
东芯半导体实现全球化运营布局,构建完整生态体系,以“存储”为核心,向“存、算、联”一体化领域进行技术探索,拓展行业应用领域,优化业务布局。
我们一直秉持“本土深度、全球广度”的供应链布局,坚持“双轨并行”的发展策略,积极拓展境内外双代工模式,在搭建和完善自主可控的国产化供应链体系的同时,与国内外的供应商建立了互助、互利、互信的合作关系,保证了供应链运转效率和产品质量。
我们的产品被广泛应用于工业控制、通讯设备、安防PG电子安全性分析监控、可穿戴设备和移动终端等领域。我们也持续聚焦高附加值产品,目前我们SLC NAND Flash、NOR Flash以及MCP均有产品通过AEC-Q100测试,将适用于更严苛的车规环境,也欢迎大家多多咨询。
我们以“品质”、“竞争力”、“客户满意”、“持续改进”为公司质量方针,不断优化服务流程和运营系统,持续提升相应的产品质量与服务质量管理体系,能够为全球客户第一时间提供高效的服务支持。公司持续加强产品可靠性及生产制程的监控力度并建立了优秀的客户服务团队,将客户服务理念贯穿到产品研发至售后的各个环节,在内部形成良好的处理闭环,并持续提升客户服务管理能力。
东芯半导体以卓越的MEMORY设计技术,专业的技术服务实力,通过国内外技术引进和合作,致力打造成为中国本土优秀的具有自主知识产权的存储芯片设计公司。
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